11月19日消息，就在三星新旗艦galaxy S7還未發(fā)布的今天，外媒又爆出有關三星下一代旗艦galaxy S8的最新消息。三星galaxy S8有望采用全球首款10nm制程工藝的芯片，目前，三星已經(jīng)對外公布了這項工藝，并宣稱明年最晚后年將開始投入量產(chǎn)。

    在最近的Techcon 2015大會上，三星率先亮出了自家研發(fā)的10nm工藝晶圓，這也是截止到目前，產(chǎn)業(yè)界首次秀出10nm工藝。此前臺積電曾表示，將會在2016年年底試產(chǎn)10nm，2017年正式量產(chǎn)，而英特爾雖然早早將10nm工藝提上日程，但是迫于各種阻礙，不得不延期至2017年。

10nm工藝與現(xiàn)在14nm工藝相比具有很多優(yōu)勢，包括空間占用減少了40%，并且在保持相同性能的情況下，能耗也會大幅降低。之前三星在14nm工藝上的Exynos 7420就在跑分性能上超越驍龍810，而從現(xiàn)在的情形來看，三星在芯片工藝處理上的跨步已經(jīng)是領先其他芯片廠商，至于未來能否成為行業(yè)的領頭羊，還得由時間來檢驗。

相關閱讀

紅米3確定1月12日發(fā)布 小米2016首款新機亮相

首款搭載驍龍820微軟win10 mobile新機曝光

iPhone7將提升防水性能 或成首款三防蘋果機

諾基亞Vertu首款觸屏手機發(fā)布 售10萬元

首款雙核1.5G小米智能機出世就祭＂割喉價＂

科大訊飛正式推出新一代語音合成芯片XFS3031CNP

USB 3.0受芯片組拖累 前景依然光明

HTC首款LTE手機將于CES正式發(fā)布